Краткое сообщение

Влияние предварительного освещения на процесс фотоиндуцированного образования оборванных связей в a-Si:Н

И.П. Звягин, И.А. Курова, Н.В. Мелешко, Н.Н. Ормонт

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1991. № 1. С. 97

Статья

Аннотация

Обнаружено различие закономерностей кинетики изменения фотопроводимости в процессе освещения для предварительно отожженных и освещенных при повышенных температурах нелегированных пленок а-Si:Н. Предложены разные механизмы фотоиндуцированного образования оборванных связей в пленках после различной их предварительной обработки.

English citation: Effect of preliminary illumination on photoinduced formation of broken bonds in a-Si:H

I.P. Zvyagin, I.A. Kurova, N.V. Meleshko, N.N. Orrnont

Авторы

И.П. Звягин, И.А. Курова, Н.В. Мелешко, Н.Н. Ормонт
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 1, 1991

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.