Исследовано влияние заряжения поверхностных электронных состояний в системе $Si—SiO_2$—металл на процесс переноса горячих электронов из кремния в окисный слой при лавинном пробое в кремнии. Показано, что основной механизм такого влияния - "интегральное" изменение электрического поля в области пространственного заряда полупроводника при заряжении поверхностных состояний. Предложен новый метод определения плотности поверхностных электронных состояний, основанный на измерении зависимостей токов лавинной инжекции электронов из полупроводника в диэлектрик от амплитуды импульсов истощающего напряжения.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.