Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Влияние электрического поля на гистерезисные явления в кристаллах $Rb_2ZnCl_4$, выращенных из раствора и расплава

Б.А. Струков, Е.П. Рагула, С.Н. Горшков

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1993. № 3. С. 64

  • Статья
Аннотация

Для кристаллов $Rb_2ZnCl_4$, выращенных из раствора и из расплава, в области температуры Кюри исследованы гистерезисные явления в зависимости диэлектрической проницаемости от приложенного внешнего электрического поля и температуры. Доказана зависимость гистерезисных явлений от степени дефектности кристаллической структуры образца.

Авторы
Б.А. Струков, Е.П. Рагула, С.Н. Горшков
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для естественных факультетов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 3, 1993

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.