Аннотация
Представлены результаты молекулярно-динамического моделирования роста пленок серебра и кобальта и кобальтовой подложке. Для описания межчастичных взаимодействий использован обобщенный потенциал Леннарда—Джонса. Расчет показывает, что в случае гомоэпитаксии образуются плоские кластеры на поверхности в начальной стадии роста пленки. На примере гетероэпитаксии продемонстрировано, что кристаллографическая ориентация наносимого на подложку слоя отличается от ориентации подложки.
English citation: Molecular dynamics simulation of growth of thin metal films
А.А. Katsnel'son, А.Е. Moroz, О.S. Тrushin, and V.S. Stepanyuk
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.А. Кацнельсон, А.Э. Мороз, О.С. Трушин, В.С. Степанюк
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики твердого тела. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики твердого тела. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.