Аннотация
В плазмохимическом реакторе диодного типа с помощью зондового метода исследована эволюция параметров плазмы $C_2F_6$ в процессе травления слоя $SiO_2$ на кремнии. Показана возможность использования зонда Ленгмюра для определения момента окончания процесса травления.
English citation: The use of Langmuir probe for determining the end point of Si0_2 etching on silicon
А.Р. Ershov, А.V. Kalinin, Yа.N. Sukhanov, and К.V. Rudenko
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.П. Ершов, А.В. Калинин, Я.Н. Суханов, К.В. Руденко
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.