Аннотация
Исследовано влияние состояния поляризации сегнетоэлектрика на вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики структур металл — пленка сегнетоэлектрика —кремний. Показано, что термополевые обработки приводят не только к переполяризации сегнетоэлектрика, но и к перезарядке электронных ловушек. Методом масс-спектроскопии зарегистрирована десорбция различных атомов и молекул с поверхности структуры при прохождении температуры фазового перехода.
English citation: lnfluence of polarization state of ferroelectric films on electrophysical properties of silicon-ferroelectric structures
N.L. Levshin, А.N. Nevzorov, and А.G. Petrukhin
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
H.Л. Левшин, А.Н. Невзоров, А.Г. Петрухин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2