Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Влияние состояния поляризации сегнетоэлектрических пленок на электрофизические свойства структур кремний—сегнетоэлектрик

H.Л. Левшин, А.Н. Невзоров, А.Г. Петрухин

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1996. № 3. С. 49

  • Статья
Аннотация

Исследовано влияние состояния поляризации сегнетоэлектрика на вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики структур металл — пленка сегнетоэлектрика —кремний. Показано, что термополевые обработки приводят не только к переполяризации сегнетоэлектрика, но и к перезарядке электронных ловушек. Методом масс-спектроскопии зарегистрирована десорбция различных атомов и молекул с поверхности структуры при прохождении температуры фазового перехода.

Авторы
H.Л. Левшин, А.Н. Невзоров, А.Г. Петрухин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 3, 1996

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.