Проведены измерения пропускания диарсенида цинка на частоте 26,3 ГГц при 300 К. Определены компоненты его диэлектрической проницаемости в направлениях параллельном и перпендикулярном оси $c$. В рамках модели Друде вычислены компоненты тензоров диэлектрической проницаемости решетки $(\epsilon_{\parallel}=13,1\pm0,6$, $\epsilon_{\perp}=11,3\pm0,6$, $\epsilon_{\parallel}/\epsilon_{\perp}=1,10\div1,16)$и удельного сопротивления $[\rho_{\parallel}=(7,5\pm0,5)Ом\cdot см;$ $\rho_{\perp}= ( 52 \pm 4)Ом\cdot см;$ $ \rho_{perp}/\rho_{\parallel}=6,8\div 7,2]$.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.