Аннотация
Электропроводность структур на основе пленок $SnO_2$, легированных Cu и Ni, исследована в области температур 100—300 К. Установлено, что легирование приводит к возрастанию сопротивления R. В слабо легированных пленках энергия активации проводимости совпадает с энергией ионизации вакансии кислорода $E_a\approx130$ мэВ. Определено влияние контактов на вид вольт-амперных характеристик структур.
English citation: Conductance of structures for gas sensors based on Sn02 films doped with copper and nickel
В.А. Akimov, А.М. Gas'kov, М. Labeau, М.М. Osipova, М.N. Rumyantseva, and L.I. Ryabova
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Б.А. Акимов$^1$, А.М. Гаськов$^1$, М. Лабо$^2$, М.М. Осипова$^1$, М.Н. Румянцева$^1$, Л.И. Рябова$^1$
$^1$ Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур; кафедра неорганической химии. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$ Национальный политехнический институт г. Гренобля, Франция.
$^1$ Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур; кафедра неорганической химии. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$ Национальный политехнический институт г. Гренобля, Франция.