Фотоиндуцированные эффекты в пленках $\alpha Si:H$ при повышенных температурах

Исследована кинетика изменения темновой проводимости $(\sigma_d)$ высокоомных пленок $\alpha Si:H$ во время и после их освещения при повышенных температурах (T>120°С). Установлено, что $\sigma_d(t)$ изменяется немонотонно: во время освещения вначале уменьшается, а затем возрастает; после освещения сначала возрастает до величины больше равновесной, затем медленно уменьшается до равновесного значения. Показано, что временные зависимости релаксации а можно описать суммой двух растянутых экспонент, параметры которых $\tau$ и $\beta$ различны. Обсуждается природа немонотонных изменений $\sigma_d(t)$