Исследованы транспортные и оптические свойства InAs/GaAs многослойных структур $p$- и $n$-типа с квантовыми точками в зависимости от количества осажденного InAs. Обнаружено, что квантовые точки InAs в GaAs формируют двумерные электронные или дырочные слои, приводящие к осцилляциям Шубникова-де Гааза. Измеренные температурные зависимости сопротивления в направлениях $[110]$ и $[\bar{1}10]$ в диапазоне температур 1,6 К$\:\div\:$300 К показали анизотропию сопротивления. Экспериментальные факты свидетельствуют о локализации носителей тока в квантовых точках при понижении температуры. По спектрам фотолюминесценции выявлена поляризация света, испущенного в плоскости структуры.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.