Выводится аналитическое выражение для эффективного последовательного сопротивления солнечного элемента (СЭ) $(n^+$-$p)$Si с просветляющим покрытием из оптически прозрачного проводящего оксида, например оксида сплава индия и олова (indium-tin-oxide - ITO). Выражение показывает зависимость этого сопротивления от параметров СЭ, а именно от величины слоевого сопротивления ITО и $n^+$-cлоя, контактного сопротивления между $n^+$-слоем и ITO, от ширины металлических полосок токособирающей сетки, а также от расстояния между ними.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет; Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына (НИИЯФ МГУ). Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.