Аннотация
Предложен способ, позволивший учесть рассеяние света в ZnAs$_2$ и получить спектр поглощения $\alpha^\parallel(h\nu)$. Установлено, что при поляризации $E\parallel c$ край поглощения определяется непрямым и прямым разрешенными переходами (разность энергий между ними 64 мэВ), происходящими с участием экситонных состояний. Определена ширина запрещенной зоны для обоих переходов в области $80 \div 300$ К.
English citation: On the determination of the ZnAs$_2$ band structure parameters
V.A. Morozova, S.F. Marenkin, 0.G. Koshelev
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2