Методом спектроскопии фотоотражения (ФО) исследованы эпитаксиальные гетероструктуры GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As с шириной квантовой ямы 10, 20 и 30 нм. При комнатной температуре в спектрах ФО наряду с линиями в области фундаментальных переходов GaAs (1.42 эВ) и Al$_x$Ga$_{1-x}$As (1.74 эВ) наблюдаются спектральные особенности, связанные с размерным квантованием в яме и расщеплением валентной зоны на подзоны тяжелых и легких дырок. Экспериментально полученные значения энергий уровней хорошо совпадают с теоретически рассчитанными в рамках модели огибающей волновой функции.
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.