Методом спектроскопии фотоотражения исследованы напряженные сверхрешетки GaAs/GaAs$_{0.6}$P$_{0.4}$, выращенные вдоль направлений [100] и [111]. Из анализа осцилляций Франца-Келдыша, наблюдаемых в спектрах фотоотражения, определены величины встроенных полей в сверхрешетках. Они составили 80 кВ/см для ориентации (100) и 430 кВ/см для ориентации (111). Различие указанных величин объяснено наличием деформационно-индуцированного пьезоэлектрического поля в напряженных сверхрешетках, выращенных вдоль направления [111].
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.