Низкотемпературная фотопроводимость в квантовой яме $p$-Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As/GaAs/Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As с нормальной и инвертированной гетерограницами

В двойной гетероструктуре {$p$-}Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As/GaAs/Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As с нормальной и инвертированной гетерограницами при низких температурах 1.7-160 K обнаружены эффекты отрицательной и положительной задержанной фотопроводимости. Показано, что отрицательная фотопроводимость возникает под освещением структуры красным светом, существует ниже $\sim$70 K, связана с падением концентрации 2D-дырок и объясняется существованием вблизи гетерограницы слоя глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера $E_B=6\pm0.9$ мэВ. Положительная задержанная фотопроводимость возникает после выключения освещения и релаксации отрицательной фотопроводимости, она определяет изменение концентрации 2D-дырок в области температур 70-140 К и связывается с электронными ловушками на инвертированной гетерогранице с активационным барьером $22\pm2$ мэВ. Влияние одноосного сжатия на величину термоактивационных барьеров не обнаружено.