Аннотация
Проведены измерения кинетики термической релаксации медленных фотоиндуцированных метастабильных дефектов (МД) в a-Si:H до и после их частичной релаксации в темноте и при подсветке. Установлено, что подсветка изменяет скорость релаксации МД и их распределение по временам релаксации. Показано, что это обусловлено наличием при подсветке как процесса фотоиндуцированной релаксации, так и процесса фотоиндуцированного образования МД.
PACS:
61.43.Dq Amorphous semiconductors, metals, and alloys
71.23.Cq Amorphous semiconductors, metallic glasses, glasses
71.55.Jv Disordered structures; amorphous and glassy solids
71.23.Cq Amorphous semiconductors, metallic glasses, glasses
71.55.Jv Disordered structures; amorphous and glassy solids
English citation: Specificities of light-induced relaxation of metastable defects in amorphous hydrogenated silicon
I.A. Kurova, N.N. Ormont
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.