Аннотация
На p-i-n-структурах, изготовленных из нелегированных кристаллов GaAs с известными пара-метрами, в области hv = 0.76-1.35 эВ обнаружена фотоэдс; токовые чувствительности в примесной и собственной (hv > 1.35 эВ) областях оказались сравнимыми. Установлено, что примесный фотоволь-таический эффект обусловлен структурными дефектами EL2 и EL3, создающими в запрещенной зоне глубокие донорные уровни. Проведены расчеты, обосновавшие возможность наблюдения этого эффекта в исследованных структурах.
PACS:
71.55.Eq III-V semiconductors
72.80.Ey III-V and II-VI semiconductors
72.80.Ey III-V and II-VI semiconductors
English citation: Impurity photovoltaic effect in p-i-n structures of undoped GaAs
V.A. Morozova, O.G. Koshelev, E.P. Veretenkin, V.N. Gavrin, Yu.P. Kozlova
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.А. Морозова$^1$, О.Г. Кошелев$^1$, Е.П. Веретенкин$^1$, В.Н. Гаврин$^2$, Ю.П. Козлова$^2$
$^1$Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. I, стр. 2.
$^2$Институт ядерных исследований РАН, Москва
$^1$Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. I, стр. 2.
$^2$Институт ядерных исследований РАН, Москва
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.