Приведены результаты теоретического исследования работоспособности преобразователей магнитного поля на основе тонкопленочного одно- и многослойного анизотропного магниторезистивного элемента кольцевой формы. Предложена модель, на основе которой проведен аналитический расчет распределения намагниченности в преобразователе. Получена система уравнений для определения отклонения вектора намагниченности. Рассчитаны чувствительность микроэлемента и угловая характеристика. Простота модели позволяет избежать больших затрат по времени на численный счет и ставить задачи оптимизации, что было бы затруднительно при использовании подхода, основанного на микромагнитном уравнении.
75.10.-b General theory and models of magnetic ordering
75.75.+a Magnetic properties of nanostructures
85.75.-d Magnetoelectronics; spintronics: devices exploiting spin polarized transport or integrated magnetic fields
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Институт проблем управления имени В.А. Трапезникова РАН. Россия, 117997, Москва, Профсоюзная ул., д. 65, В-342
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.