Аннотация
Приводятся результаты исследования проводимости гетероструктур на основе ДУ ЛЦУ типа Al-ЛЦУ-Al и p-Si-ЛЦУ-Al. Продемонстрировано, что структура Al-ЛЦУ-Al имеет нелинейный омический контакт с высотой потенциального барьера ${\sim}\,$0.7 эВ. Показано, что в гетероструктуре p-Si-ЛЦУ-Al реализуется надбарьерный механизм инжекции электронов в ЛЦУ (по Шоттки) в прямом направлении и туннельный эффект (по моделаи Фаулера-Нордгейма) в обратном.
Поступила: 5 июня 2012
Статья подписана в печать: 26 февраля 2014
PACS:
73.50.-h Electronic transport phenomena in thin films
English citation: The conductivity of heterostructures based on linear-chain carbon
A.F. Aleksandrov, O.A. Streletskii, V.V. Khvostov, A.V. Faustov, N.D. Novikov, A.A. Zaitsev
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.Ф. Александров$^1$, О.А. Стрелецкий$^1$, В.В. Хвостов$^1$, А.В. Фаустов$^2$, Н.Д. Новиков$^1$, А.А. Зайцев$^2$
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Россия, 119454, Москва, просп. Вернадского, д. 78
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Россия, 119454, Москва, просп. Вернадского, д. 78