Представлены результаты эксперимента по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs(001) методом туннельной атомно-силовой микроскопии в сверхвысоком вакууме. Предложена модель 1D-диссипативного туннелирования для интерпретации обнаруженных в эксперименте особенностей туннельных вольт-амперных характеристик контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки. Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки InAs/GaAs(001).
03.65.Sq Semiclassical theories and applications
31.15.Gy Semiclassical methods
31.15.Kb Path-integral methods
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра теоретической физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$Пензенский государственный университет, физико-математический факультет, кафедра физики. Россия, 440026, Пенза, ул. Красная, д. 40
$^3$Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. Россия, 603950, Нижний Новгород, пр-т Гагарина, д. 23
$^4$Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Казанского научного центра РАН. Россия, 420029, Казань, ул. Сибирский тракт, д. 10/7
$^5$Казанский приволжский федеральный университет, Россия, 420000, Казань, ул. Кремлевская, д. 18
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.