В работе рассматриваются два подхода к расчету резонансного сдвига частот и изменению добротности вследствие адсорбции однородного изотропного слоя диэлектрического вещества на поверхности микрорезонатора. Первый подход основан на аналитическом решении характеристического уравнения в случае сферического микрорезонатора в приближении тонкого диэлектрического слоя на его поверхности. Второй метод более общий и использует адиабатический инвариант. Этот метод, как было показано, эквивалентен известному методу теории возмущений, был применен для случая сферического микрорезонатора. Оба метода дали один и тот же результат и подтвердили результаты, полученные ранее. Полученная комплексная часть сдвига частот позволяет получить изменение добротности микрорезонатора для слоя с потерями.
Московский государственный университет имени М. ,В. Ломоносова, физический факультет, кафедра колебаний. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.