Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Особенности туннельных ВАХ в системе совмещенного АСМ/ СТМ с квантовыми точками из коллоидного золота

В.Ч. Жуковский$^1$, В.Д. Кревчик$^2$, М.Б. Семенов$^2$, Д.О. Филатов$^3$, Р.В. Зайцев$^2$, П.В. Кревчик$^2$, И.А. Егоров$^2$, В.А. Васильев$^4$

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2015. № 4. С. 54

  • Статья
Аннотация

В работе получены туннельные вольт-амперные характеристики для растущих квантовых точек из коллоидного золота в системе совмещенного атомно-силового и сканирующего туннельного микроскопа. Предполагается, что основной вклад в туннельный ток вносит ионная проводимость. Проведено качественное сравнение туннельных вольт-амперных характеристик с рассчитанной теоретической кривой полевой зависимости вероятности 2D-диссипативного туннелирования с учетом влияния двух локальных фононных мод широкозонной матрицы. Установлено качественное соответствие экспериментальной и теоретической кривых, что свидетельствует о возможном вкладе механизма диссипативного туннелирования в туннельный ток через растущую квантовую точку под иглой кантилевера, который может быть усилен в кластерах размером от 1 до 5 нм в более тонких пленках.

Поступила: 9 апреля 2015
Статья подписана в печать: 28 августа 2015
PACS:
03.65.Xp Tunneling, traversal time, quantum Zeno dynamics
03.65.Sq Semiclassical theories and applications
31.15.Gy Semiclassical methods
31.15.Kb Path-integral methods
English citation: The features of tunneling currentvVoltage characteristics in a combined atomic force/scanning tunneling microscope System with Quantum Dots of Colloidal Gold
V.Ch. Zhukovsky, V.D. Krevchik, M.B. Semenov, D.O. Filatov, R.V. Zaytsev, P.V. Krevchik, I.A. Egorov, V.A. Vasilyev
Авторы
В.Ч. Жуковский$^1$, В.Д. Кревчик$^2$, М.Б. Семенов$^2$, Д.О. Филатов$^3$, Р.В. Зайцев$^2$, П.В. Кревчик$^2$, И.А. Егоров$^2$, В.А. Васильев$^4$
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра теоретической физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
$^{2,4}$Пензенский государственный университет, факультет приборостроения, информационных технологий и электроники,
$^2$кафедра «Физика»;
$^4$кафедра «Приборостроение». Россия, 440026, Пенза, ул. Красная, д. 40, ПГУ.
$^3$Научно-исследовательский физико-технический институт при НГГУ имени Н.И. Лобачевского. Россия, 603950, Нижний Новгород, просп. Гагарина, д. 23, корп. 3.
Выпуск 4, 2015

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.