В работе представлено описание токового транспорта через распределенный джозефсоновский контакт со знакопеременной плотностью критического тока. Получить в эксперименте такую знакопеременную плотность можно за счет включения специальным образом магнитного слоя в область слабой связи. Перспективы практического использования таких структур связаны с возможностью получения на их основе бистабильных джозефсоновских элементов. Выполненный в статье для рассматриваемых контактов совместный анализ ток-фазовых зависимостей вместе с динамическими характеристиками позволил предложить оптимизацию функционирования ячейки быстрой сверхпроводниковой памяти на основе бистабильного контакта и оценить диссипацию энергии для операций «Запись» и «Считывание».
85.25.Hv Superconducting logic elements and memory devices; microelectronic circuits
85.25.Cp Josephson devices
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники. Россия,119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.