Аннотация
В работе исследовано образование дефектов в пленках кремния на сапфире под действием облучения пучком газовых кластерных ионов аргона с энергией 30 кэВ. С помощью методики обратного резерфордовского рассеяния в режиме каналирования обнаружено образование существенного количества дефектов в объеме образца при облучении не сепарированным по массе пучком кластерных ионов. При удалении из пучка атомарных и легких кластерных ионов осуществляется бездефектное травление образцов.
Поступила: 3 декабря 2015
Статья подписана в печать: 11 марта 2016
PACS:
36.40.-c Atomic and molecular clusters
68.49.Sf Ion scattering from surfaces
68.49.Sf Ion scattering from surfaces
English citation: The influence of the gas cluster ion beam composition on defect formation in targets
A.E. Ieshkin, A.A. Shemukhin, Yu.A. Ermakov, V.S. Chernysh
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.Е. Иешкин$^1$, А.А. Шемухин$^2$, Ю.А. Ермаков$^2$, В.С. Черныш$^{1,2}$
$^1$Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники.
$^2$Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д. В. Скобельцына (НИИЯФ МГУ). Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
$^1$Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники.
$^2$Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д. В. Скобельцына (НИИЯФ МГУ). Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.