Аннотация
В работе проведена экспериментальная проверка достоверности результатов, получаемых суперкомпьютерным моделированием процесса роста тонких пленок SiO2. При моделировании высокоэнергетического процесса напыления получено, что показатель преломления пленки SiO2 заметно превышает показатель преломления кварцевого стекла. Этот результат полностью подтверждается обработкой данных спектрофотометрических измерений реальных тонких пленок, полученных с помощью соответствующих процессов напыления.
Поступила: 14 октября 2016
Статья подписана в печать: 20 марта 2018
PACS:
80.00.00 INTERDISCIPLINARY PHYSICS AND RELATED AREAS OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
81.15.Aa Theory and models of film growth
81.15.Aa Theory and models of film growth
English citation: Validity of results of high-performance modeling of SiO2 film growth
V. G. Zhupanov, F.V. Grigoriev, V. B. Sulimov, A. V. Tikhonravov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.Г. Жупанов, Ф. В. Григорьев, В Б. Сулимов, А.В.Тихонравов
1ФГУП "НИИ НПО «ЛУЧ". Россия,142100, Московская обл., г. Подольск, ул. Железнодорожная, 24. 2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский вычислительный центр. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, дом 1, строение. 4.
1ФГУП "НИИ НПО «ЛУЧ". Россия,142100, Московская обл., г. Подольск, ул. Железнодорожная, 24. 2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский вычислительный центр. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, дом 1, строение. 4.