Электронный транспорт через нанокристаллы тетраэдрической формы CdTe/CdSe

Разработана квазиодномерная аналитическая модель электронного переноса в системе игла сканирующего туннельного микроскопа, нанокристалл тетрапода CdTe/CdSe, кристаллическая подложка. На основе разработанной модели исследовано влияние концентрации носителей заряда в тетраподе, его зонной структуры, геометрии и пространственной ориентации относительно подложки на вольт-амперные характеристики. Путем численного моделирования определены основные классы вольт-амперных характеристик, которые могут быть измерены в эксперименте. Определенные таким образом классы вольт-амперных характеристик непосредственно связаны с пространственной ориентацией тетраподов и их размерами. На основе сделанной классификации вольт-амперных характеристик из массива ранее измеренных характеристик выделены те, которые соответствуют транспорту электронов через тетрапод с иглы сканирующего туннельного микроскопа в подложку. Путем сопоставления численно рассчитанных характеристик к экспериментальным характеристикам определены параметры разработанной модели, которые дают наилучшее совпадение.