Аннотация
Предложенный ранее метод анализа пористости атомистических кластеров по координатам атомов и их радиусам применен к пленкам диоксида кремния, напыленным при различных условиях. Показано, что в случае напыления с низкой энергией осаждаемых атомов, до нескольких процентов от объема пленки может быть занято атомами и молекулами, имеющими радиус Ван-дер-Ваальса около 0,2 нм. Максимальный размер пор при низкоэнергетическом напылении достигает нескольких нанометров. Увеличение температуры подложки с 300 К до 500 К уменьшает пористость низкоэнергетических пленок. Увеличение энергии осаждаемых атомов приводит к уменьшению пористости.
Поступила: 19 октября 2018
Статья подписана в печать: 15 июня 2019
PACS:
81.15.Aa Theory and models of film growth
61.43.Bn Structural modeling: serial-addition models, computer simulation
61.43.Bn Structural modeling: serial-addition models, computer simulation
English citation: Dependence of the thin films porosity on the deposition conditions:
results of the molecular dynamics simulation
F. V. Grigoriev, V. B. Sulimov, A. V. Tikhonravov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Ф. В. Григорьев, В. Б. Сулимов, А. В. Тихонравов
$^1$Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский вычислительный центр
$^1$Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский вычислительный центр