Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Метод восстановления потенциального профиля поверхностей, покрытых диэлектрическим слоем

И. В. Божьев$^1$, А. С. Трифонов$^{1,4}$, Д. Е. Преснов$^{1,2,3}$, С. А. Дагесян$^1$, А. А. Дорофеев$^1$, И. И. Циняйкин$^1$, В. А. Крупенин$^1$

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2020. № 1. С. 42

  • Статья
Аннотация

Предложен метод усиления сигнала для режима сканирующего зондового микроскопа, при котором одновременно с топографией измеряется распределение поверхностного потенциала образца с помощью локального зонда на основе полевого транзистора с каналом-нанопроводом. Применение метода особенно актуально при исследовании электрического потенциала поверхности в случае, когда она закрыта слоем диэлектрика, сильно ослабляющим электрическое поле детектируемых электрических зарядов. Метод заключается в нанесении поверх диэлектрического слоя тонкой пленки хрома (Rкв > 10 кОм), толщина 7 нм, состоящей из небольших проводящих гранул, разделенных туннельными барьерами. На примере изготовленных тестовых структур экспериментально показано, что можно восстановить сигнал, ослабленный диэлектрическим слоем, на 70 - 80%. Проведенные оценки показали, что порог чувствительности транзисторов, интегрированных на зонд сканирующего зондового микроскопа, лежит в пределах 2-5 мВ в единичной полосе частот на частоте 100 Гц

Поступила: 13 августа 2019
Статья подписана в печать: 1 июня 2020
PACS:
07.79.-v Scanning probe microscopes and components
07.07.Df Sensors
62.23.Hj Nanowires
68.37.-d Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films
English citation: A method for reconstructing the potential profile of surfaces covered by a dielectric layer
I. V. Bozhev, A. S. Trifonov, D. E. Presnov, S. A. Dagesyan, A. A. Dorofeev, I. I. Tsiniaikin, V. A. Krupenin
Авторы
И. В. Божьев$^1$, А. С. Трифонов$^{1,4}$, Д. Е. Преснов$^{1,2,3}$, С. А. Дагесян$^1$, А. А. Дорофеев$^1$, И. И. Циняйкин$^1$, В. А. Крупенин$^1$
$^1$Центр Квантовых Технологий, Физический факультет, Московский Государственный Университет им. М.В. Ломоносова\
$^2$Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН\
$^3$Научно-исследовтаельский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова\
$^4$Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Выпуск 1, 2020

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.