Влияние параметров облучения ионами ксенона и аргона на дефектообразование в кремнии

Монокристаллический кремний был облучен ионами ксенона с энергиями 100, 200 кэВ и ионами аргона с энергией 110 кэВ. Флюенс облучения варьировался в диапазоне параметра «смещение на атом» (dpa) от 0.1 до 1 для обоих типов ионов и выбранных энергий. Влияние облучения на разрушение структуры кремния изучалось методами резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием и комбинационного рассеяния света. Продемонстрированы этапы разрушения кристаллической структуры кремния на основе спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния и комбинационного рассеяния света для разных флюенсов облучения. Показано, что с ростом флюенса до величины, соответствующей значению 0.5 dpa происходит накопление дефектов в модифицируемом слое, а затем, слияние высокодефектных областей в аморфные слои. При величине параметра dpa равного 1, полного разупорядочивания структуры монокристалла не наблюдается.