Магнитные фазовые переходы и магнитокалорический эффект в соединениях Gd$_5$Si$_{2-x}$Ge$_{2-x}$(Sn, In)$_{2x}$ (x = 0.05)

Проведены измерения намагниченности и измерения прямым методом магнитокалорического эффекта в интерметаллидах на основе Gd$_5$Si$_2$Ge$_2$ с малыми замещениями атомов кремния (Si) и германия (Ge) атомами олова (Sn) и индия (In). Обнаружено, что введение Sn уменьшает, а введение In увеличивает температуру магнитного упорядочения данных интерметаллидов относительно температуры Кюри исходного соединения Gd$_5$Si$_2$Ge$_2$. Величина магнитокалорического эффекта заметно не изменяется при сделанных замещениях p-элементов. Различие магнитных свойств исходного соединения Gd$_5$Si$_2$Ge$_2$ и соединений с замещениями Gd$_5$Si$_{2-x}$Ge$_{2-x}$(Sn, In)$_{2x}$ (x = 0.05) объясняется электронной структурой атомов легирования и изменением плотности электронных состояний на уровне Ферми.