Контакты для SiC-преобразователей в диапазоне нано-микроватт

Целью исследования является рассмотрение внутренних процессов в приконтактной зоне полупроводника с радионуклидным микролегированием: диффузия атомов при эндотаксии, диффузия атомов после распада радионуклидов, образование неравновесных носителей - электрон-дырочных пар и особенности материала, возникающие при такой диффузии. Подход DFT в данной работе направлен на получение доказательств вакансионного механизма диффузии. Атомы радионуклида диффундируют в растущий слой карбида кремния на кремнии при сверхстереометрическом легировании с сохранением валентности и типа проводимости примеси, образуя в зависимости от фазы эффекты, энергетически проявляющиеся как эффект «внутреннего солнца», который является источником электронов и электрон-дырочных пар при ионизационных потерях. Это обусловлено взаимодействиями с электронами оболочек соседних атомов, приводящими к образованию электронов и дырок в области пространственного заряда, разносимых встроенными электрическими полями.