Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Напряжения в пленках диоксида кремния, напыленных из диэлектрических мишеней: результаты атомистического моделирования

Ф. В. Григорьев, В. Б. Сулимов, А. В. Тихонравов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2024. № 1. 2410503

  • Статья
Аннотация

Предложенный ранее метод молекулярно-динамического моделирования напыления тонких пленок из металлических мишеней адаптирован к случаю диэлектрических мишеней и применен к пленкам диоксида кремния. Возможность вылета из мишеней не только атомов кремния, но и кластеров с атомами кислорода учтена путем добавления в поток осаждаемых атомов молекул O=Si=O. Получены атомистические кластеры пленок при высокоэнергетическом и низкоэнергетическом напылении при различном процентном содержании молекул в потоке осаждаемых атомов. Рассчитаны величины компонент тензора напряжений. При высокоэнергетическом напылении наблюдаются сжимающие напряжения (compressive stress), при низкоэнергетическом - растягивающие (tensile stress). Абсолютные величины диагональных компонент тензора напряжений растут с увеличением доли молекул в потоке осаждаемых атомов.

Поступила: 9 ноября 2023
Статья подписана в печать: 5 марта 2024
PACS:
81.15.Aa Theory and models of film growth
English citation: Stresses in silicon dioxide films deposited from dielectric targets: results of atomistic modeling
F. V. Grigoriev, V. B. Sulimov, A. V. Tikhonravov
Авторы
Ф. В. Григорьев, В. Б. Сулимов, А. В. Тихонравов
$^1$Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Выпуск 1, 2024

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.