Молекулярно-динамическое моделирование структурных превращений в проводящем канале мемристоров на основе нестихометрического и ионно-облученного оксидов кремния

Методом молекулярной динамики смоделированы процессы структурных изменений, происходящие за время порядка 100 нс в области филамента мемристора, сформированного в нестехиометрических оксидах кремния, в том числе подвергнутых ионной имплантации, при формовке и/или переключении. При этом изучено влияние высокой температуры, при которой находится область филамента на определенных стадиях работы мемристора. Показано, что за указанные периоды времени происходят существенные структурные перестройки, заключающиеся в образовании и распаде различных комплексов, что подтверждается расчётами радиальных функций распределения расстояний между атомами в различных комбинациях.