Разработана система контроля работы лазерного интерферометра для установки реактивно-ионного травления. Для прецизионной калибровки скорости травления верхнего слоя кремния материала кремний на изоляторе изготовлена серия чипов с одинаковой структурой. Толщина структуры на каждом чипе менялась в зависимости от времени травления. Высота получившихся ступенек измерена с помощью полуконтактного режима атомно-силового микроскопа. Для режима травления в плазме газов CF4 и O2 (соотношение потоков 20:5, давление 4 Па, мощность 40 Вт) определена скорость травления кремния - 0.31 ±0.1 нм/с, что позволяет контролировать глубину травления кремния в диапазоне от 5 до 120 нм с точностью не хуже 2 нм. Полученные результаты позволяют решить ряд задач при создании различных кремниевых наноэлектронных устройств. В частности, при формировании кремниевых каналов-нанопроводов полевых транзисторов необходимо с высокой точностью контролировать толщину кремниевого слоя в процессе реактивно-ионного травления.
68.35.-p Solid surfaces and solid-solid interfaces: structure and energetics
$^1$undefined\
$^2$Кафедра химической энзимологии, Химический факультет, МГУ имени М.В. Ломоносова,
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.