Для плёнок FeSeTe на аморфной диэлектрической подложке исследованы морфология поверхности и элементный состав. Измеренные среднеквадратичные значения высот выростов на поверхности плёнки составляют 4–6 нм в поле 1×1 мкм² и 7–10 нм в поле 10×10 мкм². Найденный элементный состав FeSe$_{0.5}$Te$_{0.5}$ оказался близок к стехиометрическому соотношению. Получены оценки значений верхнего критического поля Hc2∥ab(0) ≈ 68 Тл и Hc2⊥ab(0) ≈ 51 Тл при различной ориентации магнитного поля относительно кристаллографических плоскостей плёнки. Соответствующее значение анизотропии γ свойств полученных плёнок близко к 1.3 и сравнимо с результатами для таких плёнок на монокристаллических подложках. Найдены значения для когерентности: ξab(0) ≈ 2.5 нм, ξc(0) ≈ 1.9 нм. Контактными и бесконтактными методами измерена плотность критического тока, оказавшаяся на уровне 2.5×10⁴ A/см² и 6×10⁴ A/см² соответственно, при температуре 2 К. Получены оценки энергии активации вихрей U(H,T) и плотности силы пиннинга.
74.70.-b Superconducting materials other than cuprates
$^1$undefined\
$^2$undefined\
$^3$undefined\
$^4$undefined\
$^5$undefined\
$^6$Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН



