В данной работе представлена структура Ti/HfOx/TiN, способная переключаться как между резистивными, так и между емкостными состояниями. По данным импедансной спектроскопии предположена эквивалентная электрическая цепь, которая объясняет резистивные переключения ростом филамента в слое оксида гафния и предполагает наличие слоя TiON в приконтактной области HfOx/TiN, который может объяснить наличие сегнетоэлектрического переключения емкости. Емкостное окно при переключении емкости составляет 185 пФ, что дает увеличение емкости на 75%, а сопротивление при резистивном переключении возрастает в 10 раз. Эти особенности делают наш образец универсальной структурой, которая может быть как конденсатором, так и резистором с несколькими состояниями. Это позволяет кодировать больше информации в одной ячейке и создавать более сложные логические элементы. Также может быть решена проблема паразитных токов, что кардинально улучшает энергоэффективность и надежность масштабируемых массивов памяти.
$^1$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет\
$^2$Национальный исследовательский университет электронной техники – МИЭТ\
$^3$Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.