The effect of concentration of doping impurities on conductivity, photoconductivity, and absorption coefficient of compensated $\alpha-Si:H$

Исследовано влияние уровня легирования и степени компенсации на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства компенсированного гидрированного аморфного кремния ($\alpha-Si:H$). Полученные результаты объясняются влиянием положения уровня Ферми и вызванных введением примесей крупномасштабных флуктуаций потенциала на величину коэффициента поглощения $(\alpha)$ и фотопроводимости $(\sigma_{ph})$ и форму зависимостей $\alpha(h\nu)$ и $\sigma_{ph}(T)$.