Annotation
Исследовано влияние уровня легирования и степени компенсации на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства компенсированного гидрированного аморфного кремния ($\alpha-Si:H$). Полученные результаты объясняются влиянием положения уровня Ферми и вызванных введением примесей крупномасштабных флуктуаций потенциала на величину коэффициента поглощения $(\alpha)$ и фотопроводимости $(\sigma_{ph})$ и форму зависимостей $\alpha(h\nu)$ и $\sigma_{ph}(T)$.
© 2016 Publisher M.V.Lomonosov Moscow State University
Authors
А.G. Kazanskii, А.V. Mel'nikov, and D.G. Yarkin
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2