Calculation of mismatch stresses in $Cd_{0,2}Hg_{0,8}Te/CdTe$ and $Cd_{0,3}Hg_{0,7}Te/CdTe$ heterostructures

Проведен расчет анизотропных напряжений несоответствия в переходном слое между несогласованными по параметру решетки пленкой и подложкой в гетероструктурах типа CdHgTe/CdTe для различных способов взаимной ориентации пленки и подложки. Результат продемонстрировал незначительную роль этого слоя в создании дефектов в пленке по сравнению со случаем полного согласования. Показано, что для согласованной гетероструктуры типа CdHgTe/CdZnTe взаимодиффузия приводит к возникновению напряженного переходного слоя, который может стать источником дислокаций, проникающих в пленку.