Annotation
Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур Аu—GaAs, сформированных на поверхности арсенида галлия после облучения импульсами рубинового лазера с энергией меньше порога плавления поверхности. Зафиксировано образование дефектов в приповерхностной области полупроводника, что свидетельствует о снижении энергии активации образования центров при лазерном облучении.
© 2016 Publisher M.V.Lomonosov Moscow State University
Authors
R.V. Prudnikov , Р.К. Kashkarov , and V.Yu. Timoshenko
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Science News of the Faculty of Physics, Lomonosov Moscow State University
This new information publication, which is intended to convey to the staff, students and graduate students, faculty colleagues and partners of the main achievements of scientists and scientific information on the events in the life of university physicists.