Annotation
Представлена модель роста ориентированных тонких пленок, основанная на рассмотрении кинетики системы жестких стержней решеточного газа. Выведены определенные соотношения между молекулярными кинетическими параметрами и величинами, характеризующими рост нормальных и планарных кластеров.
© 2016 Publisher M.V.Lomonosov Moscow State University
Authors
Р.V. Shibaev, К. Schamburg, К. Brunfeldt, А.F. Aleksandrov, М.Е. Timofeeva, and N.А. Smirnova
$^1$ Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$ Копенгагенский университет, CISMI, Дания.
$^1$ Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^2$ Копенгагенский университет, CISMI, Дания.