Annotation
Представлены результаты молекулярно-динамического моделирования роста пленок серебра и кобальта и кобальтовой подложке. Для описания межчастичных взаимодействий использован обобщенный потенциал Леннарда—Джонса. Расчет показывает, что в случае гомоэпитаксии образуются плоские кластеры на поверхности в начальной стадии роста пленки. На примере гетероэпитаксии продемонстрировано, что кристаллографическая ориентация наносимого на подложку слоя отличается от ориентации подложки.
Rissian citation:
А.А. Кацнельсон, А.Э. Мороз, О.С. Трушин, В.С. Степанюк.
Моделирование роста тонких металлических пленок методом молекулярной динамики. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1995. № 5. С. 39.
© 2016 Publisher M.V.Lomonosov Moscow State University
Authors
А.А. Katsnel'son, А.Е. Moroz, О.S. Тrushin, and V.S. Stepanyuk
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики твердого тела. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики твердого тела. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2