Faculty of Physics
M.V.Lomonosov Moscow State University
Menu
Regular Article

The use of Langmuir probe for determining the end point of Si0_2 etching on silicon

А.Р. Ershov, А.V. Kalinin, Yа.N. Sukhanov, and К.V. Rudenko

Moscow University Physics Bulletin 1995. 1995. N 6. P. 15

  • Article
Annotation

В плазмохимическом реакторе диодного типа с помощью зондового метода исследована эволюция параметров плазмы $C_2F_6$ в процессе травления слоя $SiO_2$ на кремнии. Показана возможность использования зонда Ленгмюра для определения момента окончания процесса травления.

Authors
А.Р. Ershov, А.V. Kalinin, Yа.N. Sukhanov, and К.V. Rudenko
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Issue 6, 1995

Moscow University Physics Bulletin

Science News of the Faculty of Physics, Lomonosov Moscow State University

This new information publication, which is intended to convey to the staff, students and graduate students, faculty colleagues and partners of the main achievements of scientists and scientific information on the events in the life of university physicists.