Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

О происхождении гладкого случайного поля в неупорядоченных полупроводниках

В.Л. Бонч - Бруевич

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1981. № 2. С. 24

  • Статья
Аннотация

Изучены условия, при которых в неупорядоченном (аморфном или легированном кристаллическом) полупроводнике следует ожидать возникновения гладкого случайного поля. Показано, что такое поле может реализоваться в не слишком хорошо приготовленных образцах.

Авторы
В.Л. Бонч - Бруевич
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.
Выпуск 2, 1981

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.