Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Глубокий хвост плотности состояний в сильно легированном полупроводнике

Н.В. Бурбаева

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1981. № 2. С. 54

  • Статья
Аннотация

С учетом дебаевского экранирования рассмотрена задача о плотности состояний глубоких флуктуационных уровней в полупроводнике, легированном мелкими донорами и акцепторами. Найдены зависимости главного члена логарифма плотности состояний и радиуса локализации электрона 1/α от энергии ионизации Е, для различных значений параметра δ = N$_d$r$_{0}^{4}$/a$_{B}$, где N$_d$ концентрация доноров, r$_{0}$ — радиус экранирования, a$_{B}$ — боровcкий радиус изолированного атома примеси. Выяснено, что вид распределения атомов примеси в оптимальной флуктуации, потенциальная энергия электрона в оптимальной яме, а следовательно, и плотность состояний глубоких флуктуационных уровней существенно зависят от радиуса экранирования $r_{0}$.

Авторы
Н.В. Бурбаева
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.
Выпуск 2, 1981

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.