Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Влияние электростатического поля на поступательное движение дислокаций при высокочастотной вибрации щелочно-галоидных кристаллов

Н.А. Тяпунина, А.А. Светашов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1981. № 2. С. 15

  • Статья
Аннотация

Исследовалось влияние электростатического поля на поступательное движение дислокаций при ультразвуковой вибрации. Подвижные дислокации в кристалле КСl создавались методом индентирования и выявлялись методом повторного травления. Из экспериментов следует, что совместное воздействие электрического и акустического полей не эквивалентно последовательному их действию на образец. При совместном действии на образец электрического и ультразвукового полей число сместившихся дислокаций и средняя длина краевых лучей в дислокационных розетках больше, чем под влиянием одного ультразвукового поля. Анализ результатов показал, что электрическое поле вызывает увеличение длины пробега и числа сместившихся дислокаций, но мало влияет на стартовые напряжения поступательного движения дислокаций.

Авторы
Н.А. Тяпунина, А.А. Светашов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра молекулярной физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.
Выпуск 2, 1981

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.