Аннотация
Исследовалась подвижность ионов $\mu$ на поверхности пиролитической пленки $SiO_2$ при повышенных влажностях. Показано, что величина $\mu$ сильно зависит от температуры получения пленки $SiO_2$. Предположено, что основной причиной этого является увеличение микропористости окисной пленки при снижении температуры пиролиза. Сделан вывод, что использование в качестве защитного покрытия пиролитической пленки $SiO_2$ может быть эффективным только при достаточно низкой степени ее микропористости.
English citation: Ion migration on pyrolytic silicon dioxide in a humid medium
G.B. Demidovich, S.N. Kozlov, M. Slavova
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Г.Б. Демидович, С.Н. Козлов, М. Славова (Bulgaria)
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2