Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Моделирование роста тонких металлических пленок методом молекулярной динамики

А.А. Кацнельсон, А.Э. Мороз, О.С. Трушин, В.С. Степанюк

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1995. № 5. С. 39

  • Статья
Аннотация

Представлены результаты молекулярно-динамического моделирования роста пленок серебра и кобальта и кобальтовой подложке. Для описания межчастичных взаимодействий использован обобщенный потенциал Леннарда—Джонса. Расчет показывает, что в случае гомоэпитаксии образуются плоские кластеры на поверхности в начальной стадии роста пленки. На примере гетероэпитаксии продемонстрировано, что кристаллографическая ориентация наносимого на подложку слоя отличается от ориентации подложки.

English citation:
А.А. Katsnel'son, А.Е. Moroz, О.S. Тrushin, and V.S. Stepanyuk.
Molecular dynamics simulation of growth of thin metal films.
Moscow University Physics Bulletin 1995. 1995. N 5. P. 38.
Авторы
А.А. Кацнельсон, А.Э. Мороз, О.С. Трушин, В.С. Степанюк
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики твердого тела. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 5, 1995

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.