Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Эффекты двумерных бифуркаций и квантовых биений в системе совмещенного атомного силового и сканирующего туннельного микроскопа с квантовыми точками

В.Ч. Жуковский$^1$, В.Д. Кревчик$^2$, М.Б. Семенов$^2$, П.В. Кревчик$^2$, Р.В. Зайцев$^2$, И.А. Егоров$^2$

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2016. № 6. С. 24

  • Статья
Аннотация

В рамках одноинстантонного приближения теоретически исследована полевая и температурная зависимости вероятности 2D – диссипативного туннелирования для модельного двухъямного осцилляторного потенциала в условиях внешнего электрического поля при конечной температуре с учетом влияния двух локальных фононных мод для квантовых точек в системе совмещенного атомного силового / сканирующего туннельного микроскопа. Показано, что в режиме синхронного параллельного переноса туннелирующих частиц с иглы кантилевера в квантовую точку наличие двух локальных фононных мод приводит к появлению двух устойчивых пиков на полевой зависимости вероятности 2D – диссипативного туннелирования. Проведено качественное сравнение теоретической кривой в пределе слабой диссипации с экспериментальной туннельной ВАХ для растущих квантовых точек из коллоидного золота под иглой кантилевера на начальном этапе формирования, когда размер квантовых точек не превышает 10 нм. Установлено, что на температурной зависимости вероятности 2D- диссипативного туннелирования один из двух устойчивых пиков, соответствующих взаимодействию туннелирующих частиц с двумя локальными фононными модами, может расщепляться на два, что связано с механизмом интерференции каналов туннелирования. Найдено, что вблизи точки бифуркации реализуется теоретически предсказанный и экспериментально наблюдаемый режим квантовых биений.

Поступила: 30 апреля 2016
Статья подписана в печать: 24 января 2017
PACS:
70.00.00 CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL, MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
73.40.Gk Tunneling
73.90.+f Other topics in electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films, and low-dimensional structures
English citation:
V.Ch. Zhukovsky, V.D. Krevchik, M.B. Semenov, P.V. Krevchik, R.V. Zaitsev, I.A. Egorov.
Effects 2D-dissipative tunneling system combined AFM/STM.
Moscow University Physics Bulletin 2016. 71. N 6. P. 545.
Авторы
В.Ч. Жуковский$^1$, В.Д. Кревчик$^2$, М.Б. Семенов$^2$, П.В. Кревчик$^2$, Р.В. Зайцев$^2$, И.А. Егоров$^2$
$^1$Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра теоретической физики. Россия,119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
$^2$Пензенский государственный университет, Факультет Приборостроения, информационных технологий и электроники, кафедра «Физика», Россия, 440026, Пенза, ул. Красная 40
Выпуск 6, 2016

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.