Фотоэмиссионный метод изучения дефектов на поверхности
Фотоэмиссионный метод изучения дефектов на поверхности
М.Б. Гусева, В.Г. Бабаев, С.Ю. Коваленко, Н.Н. Никифорова, В.В. Хвостов
Приводятся результаты изучения радиационных дефектов на поверхности NaCl фотоэмиссионным методом. Впервые дана интерпретация данных фотоэмиссии с дефектов на основе модели, учитывающей отражение и прохождение электронной волны сквозь потенциальный барьер поверхности твердого тела.
Показать АннотациюМагнитокалорический эффект сплавов тербий-диспрозий в области магнитных фазовых переходов
Магнитокалорический эффект сплавов тербий-диспрозий в области магнитных фазовых переходов
С.А. Никитин, А.М. Тишин, П.И. Леонтьев
Изучен магнитокалорический эффект сплавов тербий—диспрозий. Показано, что область существования антиферромагнитных структур и поля, в которых они разрушаются, определяют эффективность использования редкоземельных металлов и их сплавов в магнитных холодильных машинах.
Показать АннотациюОписание феноменологических моделей фазовых переходов методами теории катастроф
Описание феноменологических моделей фазовых переходов методами теории катастроф
С.В. Павлов
На основе теорем теории катастроф показано, что феноменологически все фазовые переходы в системах с числом параметров порядка не больше трех описываются посредством одного из 15 классов функций, называемых min-функциями.
Показать АннотациюКоэффициент пропускания равномерно изогнутых рентгеновских волноводов в режиме шепчущих мод
Коэффициент пропускания равномерно изогнутых рентгеновских волноводов в режиме шепчущих мод
В.А. Бушуев, М.Н. Оруджалиев, Р.Н. Кузьмин
На основе явления полного внешнего отражения проведен теоретический анализ коэффициента пропускания рентгеновских волноводов в зависимости от их длины, радиуса изгиба, расстояния между стенками и расходимости пучка. Показана возможность поворота рентгеновских пучков на углы до 10—20° с эффективностью порядка 10%.
Показать АннотациюРасчет некоторых электронных и атомных свойств никеля методом резонансного модельного потенциала
Расчет некоторых электронных и атомных свойств никеля методом резонансного модельного потенциала
В.М. Силонов, О.В. Крисько, А.А. Кацнельсон
В рамках метода модельного резонансного потенциала получены выражения формфактора модельного потенциала и характеристической функции переходного металла. С их помощью проведен расчет энергетической зонной структуры и фононных спектров кристаллического никеля, а также удельного электросопротивления жидкого никеля.
Показать АннотациюК сферически-симметричным решениям в релятивистской теории гравитации
К сферически-симметричным решениям в релятивистской теории гравитации
А.А. Власов
В РТГ получен общий вид сферически-симметричных решений и показано, что сферически-симметричные распределения вещества в РТГ гравитационных волн не излучают.
Показать АннотациюРадиационные переходы одномерного атома водорода
Радиационные переходы одномерного атома водорода
В.Б. Гостев, И.В. Гостев, А.Р. Френкин, Г.А. Чижов
На основе предложенной нами модели одномерного атома водорода (1Н) [1, 2] показано, что вероятности спонтанных переходов у 1Н имеют тот же порядок, что и у трехмерного атома водорода. Указана принципиальная возможность наблюдения этих переходов.
Показать АннотациюСинтез двухкомпонентных интерференционных покрытий с заданной характеристикой в некотором диапазоне длин волн и углов падения света
Синтез двухкомпонентных интерференционных покрытий с заданной характеристикой в некотором диапазоне длин волн и углов падения света
А.В. Тихонравов, С.В. Гребенщиков
Описан метод численного решения задачи синтеза оптического покрытия, обладающего заданным коэффициентом пропускания в некотором диапазоне длин волк и углов падения света. Приведены примеры синтеза широкополосных просветляющих покрытий, предназначенных для работы в диапазоне углов падения 0—45°.
Показать АннотациюВлияние освещения в ультрафиолетовом диапазоне на фазовый переход полупроводник-металл в пленках $VO_2$
Влияние освещения в ультрафиолетовом диапазоне на фазовый переход полупроводник-металл в пленках $VO_2$
Н.Л. Левшин, С.Ю. Поройков
Освещение в УФ-диапазоне влияет на фазовый переход полупроводник—металл в пленках $VO_2$: изменяются скачок сопротивления и температура фазового перехода и уширяется петля температурного гистерезиса.
Показать АннотациюРазогрев электронов в компенсированном полупроводнике Ge
Разогрев электронов в компенсированном полупроводнике Ge
И.А. Курова, А.М. Идалбаев
В компенсированном полупроводнике Ge